专利摘要显示，本发现供给一种半导体器件及其制制方式，半导体器件包罗：基底，所述基底中构成有沟槽；导电材料层取介电材料层，相邻所述导电材料层之间通过所述介电材料层电性隔离，且所述介电材料层还延长至所述介电材料层下方的所述导电材料层的侧壁上。本发现的手艺方案可以或许无效降低沟槽电容器的漏电风险。

　　国度学问产权局消息显示，武汉新芯集成电股份无限公司申请一项名为“半导体器件及其制制方式”的专利，申请日期为2025年9月。